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SUG90090E-GE3-VB
3Datasheet，TO247封装，200V，SG T单N沟道MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；200V；120A；RDS(ON)=8.5(mΩ)；VGS=±20V；Vth=4V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUG90090E-GE3-VB
- 商品编号
- C46527842
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
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