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SQD19P06-60L_T4GE3-VB
-60V，TO252封装，沟槽型单P沟道MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-35A；RDS(ON)=46(mΩ)；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQD19P06-60L_T4GE3-VB
- 商品编号
- C46527819
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
优惠活动
购买数量
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