立创商城logo
购物车0
SPW35N60C3-VB实物图
  • SPW35N60C3-VB商品缩略图
  • SPW35N60C3-VB商品缩略图
  • SPW35N60C3-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SPW35N60C3-VB

N沟道 耐压:650V 电流:47A

描述
台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道,650V;36A;RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2.5~4.5V;采用SJ_Multi-EPI技术
商品型号
SPW35N60C3-VB
商品编号
C46527813
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
7.62克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)415W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)182nC@10V
输入电容(Ciss)5.682nF
反向传输电容(Crss)1pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)251pF

商品特性

  • 低优值系数 R_on × Q_g
  • 低输入电容 C_iss
  • 降低的开关和导通损耗
  • 超低栅极电荷 Q_g
  • 雪崩能量额定值

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关电源
  • 功率因数校正电源
  • 照明
  • 工业

数据手册PDF