温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SPW20N60CFDFKSA1-VB
650V单N沟道 SJ_Multi-EPI TO247封装MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPW20N60CFDFKSA1-VB
- 商品编号
- C46527811
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 降低反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr和反向恢复峰值电流IRRM
- 低品质因数(FOM)导通电阻R\text on与栅极电荷Q\text g乘积
- 低输入电容\left(Ciss\right)
- 因降低Qrr而减小开关损耗
- 超低栅极电荷\left(Qg\right)
- 雪崩能量额定(UIS)
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 消费电子和计算机
- ATX电源
- 工业领域
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)
- 开关电源(SMPS)
相似推荐
其他推荐
- SPW24N60CFD-VB
- SPW35N60C3-VB
- SPW35N60CFDFKSA1-VB
- SPW47N60C3FKSA1-VB
- SPW47N65C3FKSA1-VB
- SPW47N65C3-VB
- SPW52N50C3-VB
- SQD19P06-60L_T4GE3-VB
- SQD40N06-14L_GE3-VB
- SQD50P08-28_GE3-VB
- SQR50N06-07L-GE3-VB
- STD30N6LF6AG-VB
- STD35NF06T4-VB
- STD40P8F6AG-VB
- STP17NK40Z-VB
- STP18N60DM2-VB
- STP20NM50-VB
- STP21NM60ND-VB
- STP25N10F7-VB
- STP28N65M2-VB
- STW18N65M5-VB