温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
YSP040N010T1A
N沟道 100V 120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 工规级 IGBT单管@@SGT MOS，Vds=110V，Rdson=4.2mΩ，TO220，广泛应用于各类高频电源行业。
- 品牌名称
- luxin-semi(上海陆芯)
- 商品型号
- YSP040N010T1A
- 商品编号
- C4153749
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.08nF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg） = 41.9 nC）
- 100% 进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器
相似推荐
其他推荐