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YSP040N010T1A
N沟道 100V 120A
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- 描述
- 工规级 IGBT单管@@SGT MOS，Vds=110V，Rdson=4.2mΩ，TO220，广泛应用于各类高频电源行业。
- 品牌名称
- luxin-semi(上海陆芯)
- 商品型号
- YSP040N010T1A
- 商品编号
- C4153749
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 236W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.08nF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- N沟道功率MOSFET
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的 Qg x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 符合JEDEC标准
- 100%进行UIL测试
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- UPS(不间断电源)
- DC/DC转换器
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