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NCP51400MNTXG

3A Vrt终端调节器，支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4

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描述: 3A VTT 端接稳压器，DDR1，DDR2，DDR3，LPDDR3，DDR4
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP51400MNTXG
商品编号: C462911
商品封装: UDFN-10-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

	属性	参数值
	静态电流(Iq)	1mA
	特性	过流保护；带使能；PG脚；欠压锁定；软启动；过热保护
	工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)
	输出极性	正极和负极
	输出通道数	1

商品概述

NCP51400是一款源/灌双数据速率（DDR）端接稳压器，专为低输入电压和低噪声系统而设计，在这些系统中，空间是关键考虑因素。 NCP51400保持快速瞬态响应，仅需最小20 μF的输出电容。NCP51400支持远程感应功能以及DDR VTT总线端接的所有电源要求。NCP51400还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51400采用散热高效的DFN10外露焊盘封装，符合绿色环保和无铅标准。

NCP51400是一款灌/源跟踪端接稳压器，专为低输入电压和低外部元件数量的系统而设计，在这些系统中，空间是关键应用参数。NCP51400集成了高性能、低压差（LDO）线性稳压器，能够同时提供和吸收电流。LDO稳压器采用快速反馈环路，因此可以使用小型陶瓷电容器来支持快速负载瞬态响应。为了在最小化走线电阻影响的情况下实现精确调节，应将远程感应端子VTTS作为与VTT高电流路径分开的走线连接到输出电容器的正极端子。输出电压VTT被调节为VRO。当VRI配置用于标准DDR端接应用时，可以通过连接到内存电源总线（VDDQ）的外部等效比例分压器来设置VRI。NCP51400支持0.5 V至1.8 V的VRI电压，使其具有通用性，非常适合多种类型的低功耗LDO应用。当配置用于DDR端接应用时，ΔVRO为内存应用生成DDR VTT参考电压。它能够支持10 mA的源负载和灌负载。当V时，ΔVRO激活。

商品特性

适用于汽车应用
输入电压轨：支持2.5 V、3.3 V和5 V轨
PVC电压范围：1.1 V至3.5 V
集成功率MOSFET
快速负载瞬态响应
PGOOD - 用于监控VTT调节的逻辑输出引脚
EN - 用于关断模式的逻辑输入引脚
VRI - 参考输入允许通过直接或分压器进行灵活的输入跟踪
远程感应（VTTS）
内置软启动、欠压锁定和过流限制
热关断
小型、薄型10引脚、3x3 DFN封装
NCV51400MWTXG - 可焊侧翼选项，便于光学检测
适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用的NCV前缀；符合AEC - Q100标准且具备PPAP能力
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

DDR内存端接
台式电脑、笔记本电脑和工作站
服务器和网络设备
电信/数据通信、GSM基站
图形处理器内核电源
机顶盒、液晶电视/等离子电视、复印机/打印机
低至0.5 V的芯片组/RAM电源
有源总线端接

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	线性稳压器(LDO)
	输出类型	固定
	工作电压	3.5V
	输出电压	250mV~900mV
	输出电流	-