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PMF370XN,115
停产 1个N沟道 耐压:30V 电流:870mA
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- 描述
- 采用TrenchMOS技术的塑料封装极低电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计和认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMF370XN,115
- 商品编号
- C461169
- 商品封装
- SC-70
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 870mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 560mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 650pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 37pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.5pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的极低电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 低阈值电压
- 封装尺寸小(比SOT23小40%),节省PCB空间
- 适用于低栅极驱动源
- 表面贴装封装
应用领域
-驱动电路-便携式设备开关