温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN61D9U-7
停产 1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN61D9U-7
- 商品编号
- C461041
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@2.5V,0.05A | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.5pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）防护高达2kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（参考AEC-Q），具备高可靠性
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-背光照明