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ZXTN2010ZQTA
NPN 电流:5A 电压:60V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ，低等效导通电阻。 低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，高电流增益保持。 互补 PNP 类型。应用：应急照明电路。 电机驱动（包括直流风扇）
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTN2010ZQTA
- 商品编号
- C460140
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@2A,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 130MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 65mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO） > 60 V
- 集电极连续电流（IC） = 5 A
- 饱和电阻（RSAT） = 30 mΩ，等效导通电阻低
- 低饱和电压：集电极电流（IC） = 1 A时，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(SAT)） < 65 mV
- 高电流增益：集电极电流（hFE）高达10 A时仍有明确参数
- 互补PNP型：ZXTP2012Z
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 应急照明电路
- 电机驱动（包括直流风扇）
- 背光源逆变器
- 电源开关
- 栅极驱动MOSFET和IGBT