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ZXTP2012ZQTA
PNP 4.3A 60V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -60V。 IC = -4.3A，高连续电流。 RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。 低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A，高电流增益保持。 互补 NPN 类型。应用：应急照明电路。 电机驱动（包括直流风扇）
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTP2012ZQTA
- 商品编号
- C460149
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 4.3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100@2A,1V | |
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -60V
- 集电极电流（IC）= -4.3 A，高连续电流
- 饱和电阻（RSAT）= 32 mΩ，低等效导通电阻
- 低饱和电压，在集电极电流（IC）= -1 A 时，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）< -65 mV
- 直流电流放大系数（hFE）在 -10A 时仍有规定，确保高电流增益
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 另有符合汽车应用标准的产品规格（ZXTP2012ZQ）
应用领域
- 应急照明电路
- 电机驱动（包括直流风扇）
- 背光源逆变器
- 电源开关
- 金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的栅极驱动
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