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ZXTP2013ZTA

ZXTP2013ZTA

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品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXTP2013ZTA
商品编号
C460150
商品封装
SOT-89-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.086克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3.5A
集射极击穿电压(Vceo)100V
耗散功率(Pd)2.1W
直流电流增益(hFE)100
特征频率(fT)125MHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)20nA
集射极饱和电压(VCE(sat))20mV;110mV;65mV;230mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)7V
数量1个PNP
配置独立式

商品特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压(BVCEO) > -100V
  • 集电极电流(IC) = -3.5 A,高连续电流
  • 饱和电阻(RSAT) = 57 mΩ,低等效导通电阻
  • 低饱和电压 VCE(SAT) < -85 mV(集电极电流 IC = -1 A 时)
  • 电流增益(hFE)在 -10A 范围内有明确规定,可保持高电流增益
  • 互补 NPN 型:ZXTN2011Z
  • 无铅涂层;符合 RoHS 标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 应急照明电路
  • 电机驱动(包括直流风扇)
  • 背光源逆变器
  • 电源开关
  • 栅极驱动 MOSFET 和 IGBT

数据手册PDF