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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 125MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO） > -100V
- 集电极电流（IC） = -3.5 A，高连续电流
- 饱和电阻（RSAT） = 57 mΩ，低等效导通电阻
- 低饱和电压 VCE(SAT) < -85 mV（集电极电流 IC = -1 A 时）
- 电流增益（hFE）在 -10A 范围内有明确规定，可保持高电流增益
- 互补 NPN 型：ZXTN2011Z
- 无铅涂层；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 应急照明电路
- 电机驱动（包括直流风扇）
- 背光源逆变器
- 电源开关
- 栅极驱动 MOSFET 和 IGBT