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ZXTN619MATA
NPN 电流:4A 电压:50V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 68mΩ，低等效导通电阻。 HFE 规定至 6A，高电流增益保持。 低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTN619MATA
- 商品编号
- C460147
- 商品封装
- DFN-3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 19.6W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@1A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 165MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 145mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> 50 V
- 连续集电极电流（IC） = 4 A
- 低饱和电压（1A 时最大 100mV）
- 饱和电阻（RSAT） = 68 mΩ，等效导通电阻低
- 大电流增益保持能力强，集电极电流（hFE）规格高达 6A
- 低外形封装，高度仅 0.6mm，适用于轻薄应用
- 热阻（RθJA）性能高效，比 SOT23 低 60%
- 占位面积 4mm²，比 SOT23 小 50%
- 完全无铅，符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（参考 AEC - Q），可靠性高
应用领域
- MOSFET 栅极驱动
- DC - DC 转换器
- 充电电路
- 电机控制
- 电源开关