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ZXTP2009ZTA
高增益、低饱和、中功率晶体管 PNP 电流:5.5A 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-40V。 IC =-5.5A，高连续电流。 低饱和电压VCE(sat) <-30mV @-100mA。 Rsat = 29mΩ，低等效导通电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC转换器。 MOSFET栅极驱动
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTP2009ZTA
- 商品编号
- C460148
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@10mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 152MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 60mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7.5V |
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