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DDTC114ELP-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DDTC114ELP-7

50V NPN预偏置(R1 = R2)小信号晶体管,DFN1006封装

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描述
特性:外延平面芯片结构。 超小型无铅表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DDTC114ELP-7
商品编号
C460036
商品封装
DFN1006-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE)60
最小输入电压(VI(on))2.5V
最大输入电压(VI(off))1.16V
属性参数值
输出电压(VO(on))250mV
输入电阻13kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)0.1uA

商品特性

  • 外延平面芯片结构
  • 超小型无引脚表面贴装封装
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册PDF