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IGLT65R110D2ATMA1
高效氮化镓（GaN）晶体管，适用于功率转换，具备窄生产公差和高品质，适用于多种应用场景
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGLT65R110D2ATMA1
- 商品编号
- C44179923
- 商品封装
- HDSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.354克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 29pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ |
商品概述
英飞凌的 CoolGaN 是一款高效的 650V 氮化镓（GaN）晶体管，专为功率转换而设计。它能实现更高的功率密度，支持降低系统物料清单成本，并有助于实现小型化外形。该晶体管采用 200mm（8 英寸）晶圆技术和全自动化生产线生产，具有窄生产公差和最高的产品质量。这使其适用于从消费电子到工业应用的广泛领域。
商品特性
- 增强型晶体管
- 超快速开关
- 无反向恢复电荷
- 能够反向导通
- 低栅极和输出电荷
- 卓越的换向鲁棒性
- 2kV HBM ESD 标准
应用领域
基于半桥硬开关和软开关拓扑（如图腾柱 PFC 和高频 LLC）的工业、电信、数据中心开关电源，以及充电器和适配器。
- IGOT65R035D2AUMA1
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