嘉立创上市
购物车0
IMZC120R026M2HXKSA1引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IMZC120R026M2HXKSA1

采用XT互连技术的第二代碳化硅MOSFET

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
IMZC120R026M2HXKSA1
商品编号
C44184294
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)69A
耗散功率(Pd)289W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.1V
栅极电荷量(Qg)60nC
输入电容(Ciss)1.99nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)85pF
导通电阻(RDS(on))25mΩ

商品特性

  • V_DSS = 1200 V 在 T_vj = 25 °C 时
  • I_DDC = 49 A 在 T_C = 100 °C 时
  • R_DS(on) = 25 mΩ 在 V_GS = 18 V, T_vj = 25 °C 时
  • 极低的开关损耗
  • 过载工作温度可达 T_vj = 200 °C
  • 短路耐受时间 2 μs
  • 基准栅极阈值电压, V_GS(th) = 4.2 V
  • 抗寄生导通能力强,可施加 0 V 关断栅极电压
  • 体二极管鲁棒,适用于硬换流
  • 采用 .XT 互连技术,实现同类的热性能
  • 可在指定网址找到合适的英飞凌栅极驱动器

应用领域

  • 通用变频器
  • 电动汽车充电
  • 在线UPS/工业UPS
  • 太阳能功率优化器
  • 组串式逆变器
  • 储能系统
  • 焊接

数据手册PDF