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IMZC120R078M2HXKSA1
1200V SiC MOSFET G2
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，TVj = 25℃。 IDDC = 20 A，TC = 100℃。 RDS(on) = 78 mΩ，VGS = 18 V，TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZC120R078M2HXKSA1
- 商品编号
- C44184296
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 耗散功率(Pd) | 143W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ |