- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMDQ65R007M2HXUMA1
650V CoolSiC MOSFET性能
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术，可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMDQ65R007M2HXUMA1
- 商品编号
- C44184231
- 商品封装
- SOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 196A | |
| 耗散功率(Pd) | 937W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 179nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.359nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 612pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ |
商品概述
基于英飞凌坚固的第二代碳化硅沟槽技术，650 V CoolSiC™ MOSFET 提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现高性价比、高效率且简化的设计，以满足不断增长的系统与市场需求。
商品特性
- 超低开关损耗
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
- 即使在0 V关断栅极电压下也能稳健抵抗寄生导通
- 灵活的驱动电压，兼容双极性驱动方案
- 在硬换流事件下具有稳健的体二极管运行
- 采用.XT互连技术，实现一流的散热性能
应用领域
- 开关电源
- 太阳能光伏逆变器
- 储能与电池化成
- 不间断电源
- 电动汽车充电基础设施
- 电机驱动