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IMW65R060M2HXKSA1
基于第二代碳化硅沟槽技术的650V SiC MOSFET，具备超低开关损耗、灵活驱动电压等特性，适用于SMPS、太阳能光伏逆变器等
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMW65R060M2HXKSA1
- 商品编号
- C44184283
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 669pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ |
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