- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMZC120R017M2HXKSA1
1200V SiC MOSFET G2
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- 描述
- 特性：- VDSS = 1200 V，TVj = 25℃。 IDDC = 69 A，TC = 100℃。 RDSS(on) = 17 mΩ，VGS = 18 V，TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。应用：- 通用驱动器（GPD）。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZC120R017M2HXKSA1
- 商品编号
- C44184292
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 耗散功率(Pd) | 382W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 126pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ |
商品特性
- V_DSS = 1200 V at T_Vj = 25°C
- I_DDC = 69 A at T_C = 100°C
- R_DSS(on) = 17 mΩ at V_GS = 18 V, T_Vj = 25°C
- 极低的开关损耗
- 过载运行温度可达 T_Vj = 200°C
- 短路耐受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压，V_DDC(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 适用于硬换流的稳健体二极管
- 采用 .XT 互连技术，实现卓越的热性能
应用领域
- 通用驱动器
- 电动汽车充电
- 在线UPS / 工业UPS
- 组串式逆变器
- 储能系统