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IGB070S10S1XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IGB070S10S1XTMA1

超快开关高效率GaN晶体管

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商品型号
IGB070S10S1XTMA1
商品编号
C44179579
商品封装
PG-TSON-4-2​
包装方式
编带
商品毛重
10.88克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型N沟道
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)38A
耗散功率(Pd)23W
阈值电压(Vgs(th))2.1V
属性参数值
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)6.1nC
输入电容(Ciss)650pF
反向传输电容(Crss)3.6pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)310pF
导通电阻(RDS(on))5mΩ

商品特性

  • 超快开关速度和高效率
  • 节省空间且高度坚固的封装
  • 无反向恢复电荷
  • 极低的栅极电荷和输出电荷
  • 裸片外露以实现顶面散热卓越性
  • 湿度等级 MSL1
  • 工业级 3×3 封装

应用领域

  • 电信与数据中心 48V IBC
  • 用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器的同步整流
  • 机器人与无人机
  • 电池供电工具
  • 48V 伺服驱动器

数据手册PDF