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IMDQ65R010M2HXUMA1
650V碳化硅功率MOSFET，采用第二代沟槽技术，具有低开关损耗和高可靠性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMDQ65R010M2HXUMA1
- 商品编号
- C43314477
- 商品封装
- PG-HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 154A | |
| 耗散功率(Pd) | 651W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.002nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 386pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.1mΩ |
商品概述
基于英飞凌坚固的第二代碳化硅沟槽技术，650 V CoolSiC™ MOSFET 提供了无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现高性价比、高效率且简化的设计，以满足不断增长的系统与市场需求。
商品特性
- 超低开关损耗
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.5 V
- 即使在0 V关断栅极电压下也能稳健抵抗寄生导通
- 灵活的驱动电压，兼容双极性驱动方案
- 在硬换流事件下具有稳健的体二极管运行特性
- 采用 .XT 互连技术，实现一流的散热性能
应用领域
- 开关电源
- 太阳能光伏逆变器
- 储能和电池化成
- 不间断电源
- 电动汽车充电基础设施
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- INA351CDSIDDFR
- INA790BIDEKR
- IP610-X30
- IPB035N10NF2SATMA1
- IPB085N15NM6ATMA1
- IPP057N15NM6AKSA1
- IPS4140HQ
- IS25LP016D-JULA3-TR
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- ISA250300C04LMDSXTMA1
- ISC165N15NM6ATMA1
- ISO6742QDWWRQ1
- ISOM8111DFHR