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IMDQ65R010M2HXUMA1

IMDQ65R010M2HXUMA1

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商品型号
IMDQ65R010M2HXUMA1
商品编号
C43314477
商品封装
PG-HDSOP-22​
包装方式
编带
商品毛重
6.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置半桥
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)154A
耗散功率(Pd)651W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.6V
栅极电荷量(Qg)113nC
输入电容(Ciss)4.002nF
反向传输电容(Crss)22pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)386pF
导通电阻(RDS(on))13.1mΩ

数据手册PDF