IMDQ65R010M2HXUMA1
IMDQ65R010M2HXUMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMDQ65R010M2HXUMA1
- 商品编号
- C43314477
- 商品封装
- PG-HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 154A | |
| 耗散功率(Pd) | 651W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.002nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 386pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.1mΩ |
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- IP610-X30
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- IPS4140HQ
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- ISO6742QDWWRQ1
- ISOM8111DFHR
