- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMT65R020M2HXUMA1
采用第二代碳化硅沟槽技术的SiC MOSFET，具备超低开关损耗和稳健体二极管特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R020M2HXUMA1
- 商品编号
- C43311733
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 耗散功率(Pd) | 440W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.038nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 196pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ |
商品概述
基于英飞凌稳健的第二代碳化硅沟槽技术，650 V CoolSiC MOSFET提供卓越的性能、优异的可靠性和出色的易用性。它支持经济高效、高效率和简化的设计，以满足日益增长的系统与市场需求。
商品特性
- 超低开关损耗
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V
- 即使在0 V关断栅极电压下也能稳健抵抗寄生导通
- 灵活的驱动电压，兼容双极性驱动方案
- 在硬换流事件下具有稳健的体二极管运行
- .XT互连技术，提供一流的散热性能
应用领域
- 开关模式电源
- 太阳能光伏逆变器
- 储能与电池化成
- 不间断电源
- 电动汽车充电基础设施
- 电机驱动
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- INA351CDSIDDFR
- INA790BIDEKR
- IP610-X30
- IPB035N10NF2SATMA1
- IPB085N15NM6ATMA1
- IPP057N15NM6AKSA1
- IPS4140HQ
- IS25LP016D-JULA3-TR
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- ISA250300C04LMDSXTMA1
- ISC165N15NM6ATMA1
- ISO6742QDWWRQ1
- ISOM8111DFHR
- ISOM8111DFHRQ1
- ISOM8112DFHRQ1