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IPB085N15NM6ATMA1
IPB085N15NM6ATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB085N15NM6ATMA1
- 商品编号
- C43312115
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 660pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤素
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1