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IMZC120R012M2HXKSA1
碳化硅MOSFET，采用XT互连技术
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZC120R012M2HXKSA1
- 商品编号
- C43311745
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 129A | |
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 176pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ |
商品概述
引脚定义：引脚1为漏极，引脚2为源极，引脚3为开尔文检测触点，引脚4为栅极。
商品特性
- V_DSS = 1200 V，T_vj = 25°C
- I_DDC = 91 A，T_C = 100°C
- R_DS(on) = 12 mΩ，V_GS = 18 V，T_vj = 25°C
- 极低的开关损耗
- 过载工作温度可达 T_vj = 200°C
- 短路承受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用 .XT 互连技术，实现的散热性能
应用领域
- 通用驱动器
- 电动汽车充电
- 在线UPS/工业UPS
- 组串式逆变器
- 储能系统
- IMZC120R034M2HXKSA1
- INA351CDSIDDFR
- INA790BIDEKR
- IP610-X30
- IPB035N10NF2SATMA1
- IPB085N15NM6ATMA1
- IPP057N15NM6AKSA1
- IPS4140HQ
- IS25LP016D-JULA3-TR
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- ISA250300C04LMDSXTMA1
- ISC165N15NM6ATMA1
- ISO6742QDWWRQ1
- ISOM8111DFHR
- ISOM8111DFHRQ1
- ISOM8112DFHRQ1
- ISOM8113DFHR
- ISOM8115DFGRQ1
- ISOM8116DFGRQ1
- ISOM8116DFHRQ1
- ISOM8117DFHRQ1