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IMW65R033M2HXKSA1实物图
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IMW65R033M2HXKSA1

IMW65R033M2HXKSA1

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商品型号
IMW65R033M2HXKSA1
商品编号
C43311737
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置半桥
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)53A
耗散功率(Pd)194W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.6V
栅极电荷量(Qg)34nC
输入电容(Ciss)1.214nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)117pF
导通电阻(RDS(on))41mΩ

数据手册PDF