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XR30G30F
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，具备全功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR30G30F
- 商品编号
- C42457192
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 151pF |
商品概述
XR4G15F是具有极高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR4G15F符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证耐雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术