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XR3134
N沟道20V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率，符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR3134
- 商品编号
- C42456459
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 170mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR100N02F是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR100N02F符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术