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JSM3N150G
N沟道150V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合 RoHS 和绿色产品要求，并通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM3N150G
- 商品编号
- C42449134
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交13单
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