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TPH1R403NL-JSM
N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，峰值电流高达150A，特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计，如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- TPH1R403NL-JSM
- 商品编号
- C42449166
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.586nF |
商品特性
- 30V/150A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 1.5 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 2.2 mΩ(典型值)
- 可靠耐用
- 低Qg和Qgd,适用于高速开关
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 经过100% UIS + Rg测试
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-台式计算机电源管理或DC/DC转换器-功率负载开关-笔记本电脑电池管理
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