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JSM5N10M
100V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为100V电压系统设计，提供5A大电流承载能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关特性，适用于充电器、电源转换等场景，实现高效能、稳定的功率控制功能。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM5N10M
- 商品编号
- C42449152
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
JSM5N10M是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,并且在超小外形的表面贴装封装中需要低线路功率损耗。
商品特性
- 100V/5.0A,RDS(ON) = 220mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 100V/2.5A,RDS(ON) = 280mΩ(典型值)@VGS = 2.5V
- 超高压设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
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