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ESD5341N
ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
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- 描述
- 采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。具有超低电容，典型值为0.5pF，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电为±15kV，接触放电为±8kV。采用超小的1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护特性，使其成为保护手机、数字视频接口和其他设备的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- ESD5341N
- 商品编号
- C42449133
- 商品封装
- DFN1006-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00978克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 50W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 8.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.8pF |
商品概述
ESD5341N是一款单向瞬态电压抑制二极管，采用先进的单片硅技术，提供快速响应时间和低静电放电钳位电压，使其成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。该器件具有超低电容，典型值为0.5 pF，并符合IEC 61000-4-2静电放电标准，支持±15kV空气放电和±8kV接触放电。它采用超小尺寸、无铅的1.0×0.6×0.5mm DFN封装。其小尺寸、超低电容和高静电放电浪涌保护能力使其成为保护手机、数字视频接口及其他高速应用的理想选择。
商品特性
- 超小封装：1.0 × 0.6 × 0.5 mm
- 超低电容：典型值0.5pF
- 超低漏电流：nA级
- 低工作电压：5 V
- 低钳位电压
- 2引脚无引线封装
- 符合以下标准：
- IEC 61000-4-2静电放电抗扰度测试：空气放电±20kV；接触放电±15kV
- IEC61000-4-5雷击测试：4.5A (8/20μs)
- 符合RoHS标准
- 引脚镀层：NiPdAu
- 封装型号：DFN1006-2
应用领域
- 智能手机
- 显示端口
- USB端口
- 数字视频接口
- PCI Express和串行SATA端口