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JTD2301
- -20V,-2.3A,-4.5V内阻100MΩ
- 描述
- -20V,-2.3A,-4.5V内阻100MΩ
- 品牌名称
- JTD(晶泰达)
- 商品型号
- JTD2301
- 商品编号
- C42443454
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,2.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 650 V，漏极电流（ID） = 9.5 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 950 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好