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JTD2300

- 20V,6.0A,10V内阻20MΩ

描述
20V,6.0A,10V内阻20MΩ
品牌名称
JTD(晶泰达)
商品型号
JTD2300
商品编号
C42443453
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.038267克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))62mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)800mW
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

商品概述

2300采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 20 V,ID = 6.0 A
  • 当VGS = 1.8 V时,RDS(ON) < 62 mΩ
  • 当VGS = 2.5 V时,RDS(ON) < 40 mΩ
  • 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 32 mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF