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MDD8205
N沟道 耐压:20V 电流:5A
- 描述
- 双N沟导MOS管,20V/5A, 23毫欧低阻产品。
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD8205
- 商品编号
- C42432189
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- YFW-SGT技术
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试和栅极电阻测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电动车、机器人中的电机驱动
- DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
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