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RC65D180E
氮化镓场效应管
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- 描述
- 氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：14A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC65D180E
- 商品编号
- C42427957
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC |
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