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RCD5N50
500V N沟道MOSFET
- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCD5N50
- 商品编号
- C42427963
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.368667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO4606采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- VDS = -30V，ID = -5.5A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机