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RCF12N65
650V N沟道MOSFET
- 描述
- N-Channel Enhanced VDMOSFET，通过自对准平面技术获得，可降低传导损耗，改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCF12N65
- 商品编号
- C42428247
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.787克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.993nF |
商品概述
RCF12N65 N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,采用自对准平面技术制造,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 增强的ESD能力
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路