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RCF10N65
650V N沟道MOSFET
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCF10N65
- 商品编号
- C42427966
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.693667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
029N06L采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 650V、10A,RDS(ON)(最大值)=0.95Ω(VGS=10V时)
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-LED电源-手机充电器-备用电源