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RCD2N60
600V N沟道MOSFET
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- 描述
- N- 沟道增强型 VDMOSFET，通过自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-252，符合 RoHS 标准。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCD2N60
- 商品编号
- C42427960
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
016N04采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。这些器件适用于直流电机驱动器、DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动器-开关应用