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TW4409B
P沟道 耐压:30V 电流:12A
- 描述
- P沟道/30V/12A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW4409B
- 商品编号
- C42417417
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品特性
- TW50N06D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- TW50N06D符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整功能可靠性认证。