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TW4G02L
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:3.4A
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- 描述
- N+P双沟道
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW4G02L
- 商品编号
- C42417423
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0264克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 358pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.5pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69.3pF |
商品概述
这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- TW4G02L是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
- TW4G02L符合RoHS标准和绿色产品要求。
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器