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TW40P03D
P沟道 耐压:30V 电流:35A
- 描述
- P沟道/35A/30V
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW40P03D
- 商品编号
- C42417432
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- TW40P03D是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
- TW40P03D符合RoHS和绿色产品要求,100%通过EAS认证,具备完整功能可靠性。
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载点（POL）应用
- 负载开关
- LED应用