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TW120N03D
N沟道 耐压:30V 电流:120A
- 描述
- N沟道/30V/120A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW120N03D
- 商品编号
- C42417437
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3662克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.971nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品特性
- TW50P03D是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- TW50P03D符合RoHS和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保符合EAS标准。