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TW50NG10
N沟道 耐压:100V 电流:50A
- 描述
- N沟道/100V/50A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW50NG10
- 商品编号
- C42417426
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3668克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.336nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 506pF |
商品概述
这些N+P双沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- TW50NG10采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。
- 由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。
- 该器件非常适合高频开关和同步整流。
应用领域
- 直流风扇
- 电机驱动应用
- 网络设备
- 半/全桥拓扑结构