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TW4G03L
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:4A
- 描述
- 这些N + P双通道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TW4G03L
- 商品编号
- C42417422
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A；3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V；30mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@10V；7.7nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 250pF；245pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF；28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF；37pF |