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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- TW6009采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。
- 可用于多种应用场景。