我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
MSD100N110SC实物图
  • MSD100N110SC商品缩略图
  • MSD100N110SC商品缩略图
  • MSD100N110SC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MSD100N110SC

1个N沟道 耐压:100V 电流:60A

描述
N-Channel Power MOSFET,100V,60A,TO-252
品牌名称
Bruckewell(隽佾)
商品型号
MSD100N110SC
商品编号
C42407722
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.51克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
耗散功率(Pd)94W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)28.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.95nF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-50℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)665pF

商品概述

该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计,可将 RDS(ON) 降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求,100% 保证 EAS,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

  • RDS(ON) = 11 mΩ(VGS = 10 V 时)
  • 快速开关
  • 提高 dv/dt 能力
  • 100% 保证 EAS
  • 提供绿色环保器件

应用领域

-网络-负载开关-LED 应用-快速充电器

数据手册PDF