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MSD200N120
1个N沟道 耐压:200V 电流:16A
- 描述
- N-Channel Power MOSFET,200V,16A,TO-252
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSD200N120
- 商品编号
- C42407725
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 872pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDS(ON) 和栅极电荷。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求,100% 保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON) = 120 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 100% 保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
-网络设备-负载开关-LED 应用