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MSD60N50
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- N-Channel Power MOSFET,60V,50A,TO-252
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSD60N50
- 商品编号
- C42407727
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.545克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
该器件采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于PWM、负载开关和通用应用。 该器件符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整功能且可靠性得到认证。
商品特性
- 在VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 12mΩ
- 低米勒电荷
- 低输入电容
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电机驱动
- 电动工具
- LED照明